类型 描述 选择
类别
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
875 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
BSP613
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新建参数搜索
SAK-TC222S-16F133N AC
IPT60R050G7
BSP613PH6327
VND7050AJTR
VND7012AYTR
VND7140AJTR
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A3941KLPTR-T
KSZ8863MLLI
TPS53315RGFR
SAK-TC1782F-320F180HR BA
