描述:
英飞凌的新逻辑级OptiMOS™5功率mosfet非常适合无线充电、适配器和电信应用。
新器件的低栅电荷(Q g)降低了开关损耗而不影响传导损耗。改进的性能值允许在高开关频率下操作。
此外,逻辑电平驱动提供了一个较低的门阈值电压(V GS(th)),允许mosfet在5V下直接由微控制器驱动。
参数
Mouser编号:863-NSR05T40XV2T5G
Mouser编号:726-BSZ040N06LS5ATMA
制造商编号:BSZ040N06LS5ATMA1
制造商:Infineon Technologies
说明:MOSFET MV POWER MOS
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.8 ns
正向跨导 - 最小值: 32 S
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.6 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25.6 ns
典型接通延迟时间: 8.5 ns
宽度: 3.3 mm
零件号别名: BSZ040N06LS5 SP001385578
单位重量: 38.760 mg
•针对高性能SMPS进行优化,例如同步。矩形。
•100%雪崩测试
•优越的热阻n通道
•根据JEDEC标准进行认证)
•无铅电镀;通过无铅认证
•根据IEC61249-2-21无卤
--小包装低R DS(on)。
--门费低。
--较低的输出电荷。
--逻辑级别兼容性。
--更高的功率密度设计。
--更高的开关频率。
--减少零件计数,只要5V电源可用。
--直接由微控制器驱动(慢切换)。
--降低系统成本。
深圳市烨弘轩电子有限公司,2011年成立于中国经济特区深圳.10年来我们专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务,竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。烨弘轩电子专业供应 TI ADI品牌 电源 混合信号 数字信号处理IC, XILINX品牌 FPGA 硬件可编程 SOC 及 ACAP ,INTEL品牌 FPGA和可编程设备。 2018年 公司投入巨资 加快进口器件国产化推广 ,同时代理经营国产主动器件。 我们致力于进口器件国产化的推广,至今已服务客户1000+ .我们以低成本提供全方位一站式电子元件供应链采购方案,包括但不仅限于电子元件紧急物料搜寻,电子元件齐套供应、电子元件降低成本的长期供应,库存寄售等一系列供应链解决方案。为顾客创造价值、为员工实现价值、为社会展现价值 是烨弘轩电子不变的宗旨。
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