美森科代理 MSKSEMI代理
MS2N7002M3 SOT-723
低RDS的高密度电池设计（ON）
电压控制小信号开关
小外形表面安装组件
符合RoHS标准/绿色EMC
1.说明
MS2N7002M3是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该装置用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品2N7002M3T5GES不含铅。
2.特点
60V，RDS（ON）=1.5Ω（Typ），VGS=10V
RDS（ON）=2.4Ω（Typ），VGS=4.5V
使用沟槽MOSFET技术
低RDS的高密度电池设计（开启）
材料：无卤素
可靠且坚固
雪崩额定值
低泄漏电流
ESDA6V8UD-MS DFN2510-10L
PESDALC10N5VU-MS DFN-10
MS1045-04F DFN2510P10E
LXES1UTAA1-MS DFN-2
SURGE04B03-MS 0402
MS2N7002M3 SOT-723
