SIHP068N60EF-GE3

发布时间:2022/11/15 14:09:00 访问次数:67

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 41 A
Rds On-漏源导通电阻: 68 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 51 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
产品类型: MOSFET
系列: EF
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs