62 mm1200 V, 150 A 双管IGBT模块,采用第二代高速 I1200GBT,满足用于高频开关应用场合的设计需求,也可用于M5电源端子。是您设计的理想选择。
特征描述
高短路能力 自限制短路电流 低开关损耗 无与伦比的坚固性 VCEsat带正温度系数 封装的 CTI > 400 高爬电距离和电气间隙 绝缘基板 铜底板 标准外壳优势
灵活性 优化的电气性能 高可靠性 应用领域 不间断电源(UPS)发布时间:2022/11/7 9:20:00 访问次数:36
62 mm1200 V, 150 A 双管IGBT模块,采用第二代高速 I1200GBT,满足用于高频开关应用场合的设计需求,也可用于M5电源端子。是您设计的理想选择。
特征描述
高短路能力 自限制短路电流 低开关损耗 无与伦比的坚固性 VCEsat带正温度系数 封装的 CTI > 400 高爬电距离和电气间隙 绝缘基板 铜底板 标准外壳优势
灵活性 优化的电气性能 高可靠性 应用领域 不间断电源(UPS)