62mmC系列1200 V、600 A双快速沟槽型IGBT模块,结合TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制4二极管。
特征描述
Tvj op= 150°C 符合RoHS标准 4 kV交流1分钟绝缘 CTI > 400的封装 爬距和电气间隙大 UL/CSA认证与UL1557 E83336
优势
现有封装具有更高电流能力,可以在相同的框架尺寸下增大逆变器输出功率 最高功率密度 灵活性 最佳电气性能 最高可靠性 应用领域 不间断电源(UPS) 电机控制和驱动 太阳能系统解决方案发布时间:2022/11/7 9:17:00 访问次数:31
62mmC系列1200 V、600 A双快速沟槽型IGBT模块,结合TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制4二极管。
特征描述
Tvj op= 150°C 符合RoHS标准 4 kV交流1分钟绝缘 CTI > 400的封装 爬距和电气间隙大 UL/CSA认证与UL1557 E83336
优势
现有封装具有更高电流能力,可以在相同的框架尺寸下增大逆变器输出功率 最高功率密度 灵活性 最佳电气性能 最高可靠性 应用领域 不间断电源(UPS) 电机控制和驱动 太阳能系统解决方案上一篇:PCM1681TPWPRQ1
下一篇:SN65HVD73DR