高电压 TP65H035G4WS 以标准 TO247 封装提供了 35mΩ 的导通电阻，轻松实现了可驱动性。当在无桥图腾柱 PFC 拓扑中使用时，该 FET 的性能和整体设计优势得到最大化。作为 SuperGaN 产品组合的一部分，该器件提供 4 V 阈值和 ±20 V 栅极稳健性，搭配最高质量、最高可靠性 (Q+R) 的 GaN 功率半导体。
应用 AC/DC 转换器 DC/DC 转换器 DC/AC 逆变器系统
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