Siss27ADN-T1-GE3

Siss27ADN-T1-GE3

类别
分立半导体产品
晶体管-FET，MOSFET-单个
制造商
VishaySiliconix
系列
TrenchFETGenIII
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel得捷定制卷带
产品状态
在售
FET类型
P通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
25°C时电流-连续漏极(Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）
5.1毫欧@15A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）
2.2V@250μA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）
55nC@4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）
4660pF@15V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
57W（Tc）
工作温度
-55°C~150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK1212-8S
封装/外壳
PowerPAK1212-8S
基本产品编号
SISS27