FGH4L40T120LQD

发布时间:2022/10/18 17:25:00 访问次数:90

类别
分立半导体产品
晶体管-UGBT、MOSFET-单
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT类型
沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）
1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）
80A
电流-集电极脉冲(Icm)
160A
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）
1.8V@15V，40A
功率-最大值
306W
开关能量
1.04mJ（开），1.35mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
227nC
25°C时Td（开/关）值
42ns/218ns
测试条件
600V，40A，10欧姆，15V
反向恢复时间(trr)
59ns
工作温度
-55°C~175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L