PSMN3R9-100YSFX PSMN011-100YSFX PSMN4R8-100YSEXPSMN6R9-100YSFX
PSMN8R7-100YSFQ PSMN8R7-100YSFX
Nexperia 的 NextPower MOSFET 非常适合电源、电信和工业设计
Nexperia的 NextPower 80 V/100 V MOSFET 为高效开关和高可靠性应用提供低 50% 的 RDS(on)和强大的雪崩能量额定值 (Eas)。这些 MOSFET 非常适合电源、电信和工业设计，尤其是 USB 供电 (PD) 和 USB Type-C® 充电器和适配器，以及 48 VDC/VDC适配器。该器件具有低体二极管损耗，Qrr低至 50 纳库伦 (nC)，从而降低了反向恢复电流 (Irr) 和电压尖峰 (Vpeak)，并减少了瞬时振荡，从而进一步优化了死区时间。
特性 低 Qrr，实现了高效率和低尖峰 低 QG× RDS(on)FoM，可用于高效切换应用 优化的体二极管 VSD= 1 V（最大值） 强 Eas，100% 经过测试 经认证的 Tj（最大值）= +175°C，符合 IPC9592 标准 无卤素且符合 RoHS 标准的 LFPAK56 封装 可波峰焊 LFPAK56 封装 用于热插拔和 PoE 的应用特定 FET (ASFET)，包括 PSMN4R8-100YSE 采用 LFPAK56 和 LFPAK56E 封装的 80 V 和 100 V 产品组合 应用 全桥和半桥拓扑 电机控制 UPS 和太阳能逆变器 热插拔和软启动 反激和谐振拓扑中的同步整流器 AC/DC 和 DC/DC 转换器 LED 照明
