产品属性
属性值
制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-247-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻:
170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.5 V
Qg-栅极电荷:
63 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
151 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
CoolMOS
封装:
Tube
商标:
Infineon Technologies
配置:
Single
下降时间:
8 ns
高度:
21.1 mm
长度:
16.13 mm
产品类型:
MOSFET
上升时间:
10 ns
系列:
CoolMOS E6
工厂包装数量:
240
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
典型关闭延迟时间:
90 ns
典型接通延迟时间:
12 ns
宽度:
5.21 mm
零件号别名:
IPW60R190E6 SP000797384
单位重量:
6 g
2ED21094S06JXUMA1
2ED28073J06FXUMA1
IRS2453DSTRPBF
IR21091STRPBF
IR3598MTRPBF
2EDF7175FXUMA2
2EDF7275KXUMA1
2ED24427N01FXUMA1
IR2102STRPBF
IR21363STRPBF
IR21364STRPBF
IR2233JTRPBF
IR2135JTRPBF
2ED020I12FAXUMA2
IR2130STRPBF
IR2118SPBF
IR4426SPBF
IR2101PBF
IR2108SPBF
IRS2003PBF
IRS21084SPBF
IRS2101PBF
IRS2106PBF
2EDN7523FXTMA1
2EDN7523RXUMA1
IR2118STRPBF
6EDL04N06PTXUMA1
1EDN8511BXUSA1
IRS10752LTRPBF
IRS2008STRPBF
IRS4427STRPBF
IR2106STRPBF
IRS2008SPBF
IRS21867STRPBF
IR2101STRPBF
IRS2004SPBF
IRS2011STRPBF
IR2104STRPBF
IRS2181STRPBF
IR21531STRPBF
2ED2184S06FXUMA1
AUIRS21811STR
IR2127STRPBF
IR21271STRPBF
IR2111STRPBF
IR2304SPBF
IR1167ASTRPBF
IR2011STRPBF
IRS21834STRPBF
IRS21814SPBF
6EDL04N02PRXUMA1
IR2181STRPBF
IR2183STRPBF
IR21834STRPBF
AUIR3241STR
TLE7181EMXUMA1
TLE7182EMXUMA1
IR2010STRPBF
AUIRS2191STR
IR21844STRPBF
IR2104SPBF
IRS2186SPBF
IR2125STRPBF
IR2127SPBF
IRS2110SPBF
TLE92108231QXXUMA1
IRS2113SPBF
IRS21864SPBF
IRS2011SPBF
IR2110PBF
IR2302SPBF
IR2184SPBF
IR2010SPBF
IR2213STRPBF
