类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
137 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
320 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
BUK98150
SST89E58RD2A-40-C-TQJE
ATMEGA16A-AU
SN74HC21DR
PE42442A-Z
ED8101P02QI
SS543GT
AT25DF321A-SH-T
