TSM025NH04CR RLGTSM043NH04LCR RLGTSM043NH04CR RLGTSM070NH04CR RLG
TSM056NH04CR RLGTSM056NH04LCR RLGTSM032NH04LCR RLGTSM019NH04LCR RLG
TSM070NH04LCR RLGTSM032NH04CR RLGTSM019NH04CR RLG
台积电先进的专有工艺显着改善了 PerFET 器件的通态电阻和品质因数
台积电的PerFET 系列单通道和双通道 40 V 功率 MOSFET 基于专有器件结构和工艺构建，可实现极低的导通电阻 (RDS(ON)) 和开关品质因数 (FOM)。PerFET 器件实现了 50% 的 RDS(ON)和 40% 的 FOM 降低，使该产品组合处于行业领先的性能优势。40 V N 通道 PerFET 平台包括满足标准 (10 V) 和逻辑电平 (5 V) 栅极驱动要求的选项，同时在开关应用中发生开关电压瞬变和雪崩时保持坚固的安全工作区域裕度。
特征
R DS(ON)降低 50%：降低功率损耗 40% FOM 改进：改进的开关性能 可润湿侧面引线：提高焊点可靠性和自动光学检测 (AOI) 单通道和双通道封装 100% UIS 和 Rg测试 AEC-Q 汽车认证：+175°CTj(max)对汽车和工业应用具有吸引力；提供生产件批准流程 (PPAP) 文件 全球材料合规性：符合 RoHS、无卤素（根据 IEC-61249-2-21）、WEEE、REACH、加利福尼亚 Prop. 65、JESD-201 2 类晶须测试等 应用 开关模式电源 DC/DC 转换器 电信 电机驱动器 多旋翼 转换器、充电器和电机控制电路中的续流二极管
