类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSIX-H
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.79 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6650 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），170W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳
8-SOIC（0.197"，5.00mm 宽）
基本产品编号
TPHR7904
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