类别
分立半导体产品
晶体管-UGBT、MOSFET-单
制造商
InfineonTechnologies
系列
TrenchStop
包装
管件
ProductStatus
在售
IGBT类型
沟道
电压-集射极击穿（最大值）
650V
电流-集电极(Ic)（最大值）
90A
电流-集电极脉冲(Icm)
300A
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）
2.1V@15V，75A
功率-最大值
395W
开关能量
2.3mJ（开），900μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
160nC
25°C时Td（开/关）值
28ns/174ns
测试条件
400V，75A，8欧姆，15V
反向恢复时间(trr)
92ns
工作温度
-40°C~175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
基本产品编号
IKW75N65
IKW25N120H3
IKW40N120H3
ADUM1201ARZ-RL7
SPC5602PEF0MLH6R
TPD3E001DRLR
TPS82130SILR
TPS73201DBVR
SN74LVC1G123DCUR
