型号：IRF1018EPBF
品牌：IR/INFINEON
封装：TO-220
零件状态：有源
FET类型：N通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（VDSS）：60V
电流-连续漏极（ID）（25°C 时）79A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：8.4 毫欧 @ 47A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：69nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2290pF @ 50V
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
