IRFB7437PBF

参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1252055336
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 4.53
雪崩能效等级（Eas） 350 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 195 A
最大漏极电流 (ID) 195 A
最大漏源导通电阻 0.002 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 1000 A
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON