BSP149H6327XTSA1 全新原装正品 现货

BSP149H6327XTSA1

类别
分立半导体产品
晶体管-FET，MOSFET-单个
制造商
InfineonTechnologies
系列
SIPMOS
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
产品状态
在售
FET类型
N通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
25°C时电流-连续漏极(Id)
660mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）
0V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）
1.8欧姆@660mA，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）
1V@400μA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）
14nC@5V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）
430pF@25V
FET功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C~150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
BSP149

STPS140Z,(ST)
NTR4502PT1G,(ON)
MIC1557YM5-TR(MICROCHIP)
STR1550(ST)
NCP303LSN30T1G,(ON)
MBRS360T3G,(ON)
MBRS3100T3G,(ON)
2N7002-7-F,(DIODES)
TEA19161T/2Y,(NXP)
L78L33ABUTR, (ST)