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SQJ560EP-T1-GE3

发布时间:2022/6/22 9:20:00 访问次数:78

类别
分立半导体产品
晶体管-FET,MOSFET-阵列
制造商
VishaySiliconix
系列
Automotive,AEC-Q101,TrenchFET
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel得捷定制卷带
产品状态
在售
FET类型
N和P沟道
FET功能
标准
漏源电压(Vdss)
60V
25°C时电流-连续漏极(Id)
30A(Tc),18A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)
12毫欧@10A,10V,52.6毫欧@10A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)
2.5V@250μA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)
30nC@10V,45nC@10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)
1650pF@25V
功率-最大值
34W(Tc)
工作温度
-55°C~175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAKSO-8双
供应商器件封装
PowerPAKSO-8双
基本产品编号
SQJ560

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