Source Content uid IRS2184SPBF
是否Rohs认证
符合
生命周期 Active
Objectid 8006019107
包装说明 SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.39.00.01
风险等级 0.87
Samacsys Description Infineon IRS2184SPBF Dual MOSFET Power Driver, 2.3A Half Bridge, 10 → 20 V 8-Pin, SOIC
Samacsys Manufacturer Infineon
内置保护 TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型 HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
长度 4.9 mm
湿度敏感等级 2
功能数量 1
端子数量 8
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
输出电流流向 SOURCE AND SINK
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
电源 15 V
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
子类别 MOSFET Drivers
最大供电电压 20 V
最小供电电压 10 V
标称供电电压 15 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
断开时间 0.4 μs
接通时间 0.9 μs
宽度 3.9 mm
