Brand Name Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期 Active
Objectid 1943903921
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25
针数 8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.33.00.01
风险等级 0.88
Samacsys Description NE5532DR, Dual Operational Amplifier 10MHz, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 1 μA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.8 μA
最小共模抑制比 70 dB
标称共模抑制比 100 dB
频率补偿 YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.15 μA
最大输入失调电压 4000 μV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
长度 4.9 mm
低-偏置 NO
低-失调 NO
微功率 NO
湿度敏感等级 1
负供电电压上限 -22 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V
功能数量 2
端子数量 8
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
包装方法 TR
峰值回流温度（摄氏度） 260
功率 YES
电源 +-5/+-15/10/30 V
可编程功率 NO
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
标称压摆率 9 V/us
子类别 Operational Amplifier
最大压摆率 16 mA
供电电压上限 22 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V
表面贴装 YES
技术 BIPOLAR
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 10000 kHz
最小电压增益 10000
宽带 NO
宽度 3.9 mm
