制造商 Diodes Incorporated 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 TSOT-26-6 晶体管极性 N-Channel, P-Channel 通道数量 2 Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 3.4 A, 2.8 A Rds On-漏源导通电阻 100 mOhms, 140 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 1 V, 2.3 V Qg-栅极电荷 9 nC, 7 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-功率耗散 1.27 W 通道模式 Enhancement 资格 AEC-Q101 配置 Dual 下降时间 3 ns, 13 ns 正向跨导 - 最小值 4 S, 6 S 上升时间 5 ns, 7.3 ns 系列 DMG6602 典型关闭延迟时间 3 ns, 4.8 ns 典型接通延迟时间 8 mg 可售卖地 全国
型号
其它产品还有：
SKRWADE030
SSAJ120100
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QT18B20
QT18E20
QT18B20M
QT18B20Z
GRM2195C1H103JA01D
GRM21BR61A226ME51L
GRM21BR6YA106KE43L
GRM31CR61C226KE15L
GRM31CR61E226KE15L
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LQH32PN100MN0L
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LQW18AN33NG00D
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EEFSX0D471XE
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SSCM110100
SKHHAJA010
SPVT210101
SPVT110102
SKQMAQE010
SKTDLDE010
SKSWCEE010
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SKRBAAE010
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SKSWCFE010
SKRAAKE010
SKRKAEE020
SKQMASE010
SKRBACE010
SKSLLAE010
SKQYAFE010
SKTGLBE010
STK3235
MPQ2019GN-5-AEC1-Z
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SI32192-A-FM1R
