IPD068P03L3GATMA1

类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.8 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 91 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7720 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 100W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号 IPD068