制造商 Texas Instruments 系列 NexFET™ FET 类型 N 通道 漏源电压（Vdss） 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Ta） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.8V @ 250μA Vgs（最大值） ±20V 功率耗散（最大值） 3.2W（Ta），195W（Tc） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-PowerTDFN 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET -
型号
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