IPD50N04S4-10 全新原装正品 现货

IPD50N04S4-10

类别
分立半导体产品
晶体管-FET，MOSFET-单个
制造商
InfineonTechnologies
系列
OptiMOS
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
产品状态
在售
FET类型
N通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
25°C时电流-连续漏极(Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）
9.3毫欧@50A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）
4V@15μA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）
18.2nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）
1430pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
41W（Tc）
工作温度
-55°C~175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
基本产品编号
IPD50N04

MCIMX6V7DVN10AB
STM8S207CBT6
VNH7040AYTR
S9S12GN48F1VLC
TLE4291E
BTS5090-2EKA
TK31A60W