制造商 Toshiba 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 SOP-Advance-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 130 A Rds On-漏源导通电阻 1.9 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 4 V Qg-栅极电荷 72 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-功率耗散 78 W 配置 Single 高度 0.95 mm 长度 5 mm 系列 TPH2R306NH 晶体管类型 1 N-Channel 宽度 5 mm 下降时间 16 ns 上升时间 9.9 ns 典型关闭延迟时间 50 ns 典型接通延迟时间 29 ns 单位重量 851 mg 可售卖地 全国
型号
TPH2R306NH,L1Q
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