SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 405 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号 SI2301