IPB120N04S4-02

品牌 英飞凌 封装 TO-263
制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 TO-263-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 40 V Id-连续漏极电流 120 A Rds On-漏源导通电阻 1.58 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 2 V Qg-栅极电荷 134 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 175 C Pd-功率耗散 158 W 配置 Single 通道模式 Enhancement 资格 AEC-Q101 高度 4.4 mm 长度 10 mm 系列 OptiMOS-T2 晶体管类型 1 N-Channel 宽度 9.25 mm 下降时间 30 ns 上升时间 16 ns 典型关闭延迟时间 30 ns 典型接通延迟时间 27 ns 单位重量 4 g 可售卖地 全国 型号 IPB120N04S4-02