类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 25 毫欧 @ 10.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 160 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4700 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5.2W（Ta），83.3W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
基本产品编号 SI7469
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