制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2350 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.4W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIR846
