IPD50N04S4L-08

品牌 INFINEON 封装 TO-252 批次 21+ 数量 5000QQ:1014877537 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 TO-252-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 40 V Id-连续漏极电流 50 A Rds On-漏源导通电阻 6.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V, - 16 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.2 V Qg-栅极电荷 30 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 175 C Pd-功率耗散 46 W 配置 Single 通道模式 Enhancement 资格 AEC-Q101 高度 2.3 mm 长度 6.5 mm 系列 OptiMOS-T2 晶体管类型 1 N-Channel 宽度 6.22 mm 下降时间 18 ns 上升时间 8 ns 典型关闭延迟时间 11 ns 典型接通延迟时间 4 ns 零件号别名 IPD50N04S4L08ATMA1 SP000711456 IPD5N4S4L8XT IPD50N 单位重量 4 g 可售卖地 全国 型号 IPD50N04S4L-08