参数名称
参数值
生命周期 Active
Objectid 8363005141
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.82
雪崩能效等级（Eas） 466 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 160 A
最大漏源导通电阻 0.0037 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 480 A
参考标准 AEC-Q101
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Xilinx XC7K160T-2FFG676C 400 21+ 155
Xilinx XC7K160T-2FFG676I 600 21+ 155
Xilinx XC7Z020-2CLG400I 2250 21+ 92.5
Xilinx XC95288XL-10TQG144C 1200 21+ 14.5
Xilinx XCKU060-1FFVA1156C 360 21+ 325
Xilinx XC7A200T-2FFG1156C 800 21+ 135
Xilinx XC3S200A-4VQG100C 1900 21+ 9
Altera EN6337QI 500 21+ 215
Altera EN5322QI 1000 21+ 515
Altera EN6347QI 500 20+ 325
Altera EN5311QI 500 21+
