IPB60R099P7

IPB60R099P7

类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™ P7
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 99 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 530μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1952 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 117W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号 IPB60R099

TPS2051BDBVR
TPS2051CDBVR
TPS2051BDR
TPS2052BDR
TPS2061DBVR
TPS2061CDBVR
TPS2062DR
TPS2065DDBVR
TPS2065DBVR
TPS2065CDBVR
TPS2065DR
TPS2066DR
TPS2066CDR
TPS2069CDGNR
TPS2069DDBVR
TPS2069CDBVR
TPS3103K33DBVR
TPS3106K33DBVR
TPS3307-18DGNR
TPS3307-18DR
TPS3421EGDRYR
TPS3619-33DGKR
TPS3705-33DR