PSMN3R0-30YLDX

PSMN3R0-30YLDX

类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.1 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 46.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2939 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 91W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳 SC-100，SOT-669
基本产品编号 PSMN3R0