NTK3139PT1G

类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 onsemi
系列 -
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 660mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 480 毫欧 @ 780mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250μA
Vgs（最大值） ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 170 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 310mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-723
封装/外壳 SOT-723
基本产品编号 NTK3139