SQJ570EP-T1GE3

类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Vishay Siliconix
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A（Tc），9.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 45 毫欧 @ 6A，10V，146 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20nC @ 10V，15nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 650pF @ 25V，600pF @ 25V
功率 - 最大值 27W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 双
基本产品编号 SQJ570