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制造商: NXP
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: Bipolar Wideband
技术: Si
晶体管极性: NPN
工作频率: 900 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
集电极—发射极最大电压 VCEO: 16 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V
集电极连续电流: 15 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT143R-4
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: NXP Semiconductors
集电极—基极电压 VCBO: 24 V
直流电流增益 hFE 最大值: 200
增益带宽产品fT: 11 GHz
高度: 1.1 mm
长度: 3 mm
最大直流电集电极电流: 80 mA
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
输出功率: 13.5 dBm
Pd-功率耗散: 450 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
类型: Wideband RF Transistor
宽度: 1.4 mm
零件号别名: 934067713215
单位重量: 26 mg
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L79L12ACD13TR ST
TR3E227K016C0150 VISHAY/威世
CNY75C VISHAY/威世
NCP15WB473F03RC MURATA/村田
SUM110P06-07L-E3 VISHAY/威世
SUM110P06-08L-E3 VISHAY/威世
S1M-E3/5AT VISHAY/威世
S1MB-13-F DIODES/美台
S1MSWFQ-7 DIODES/美台
S1MHE3_A/H VISHAY/威世
S1M-E3/61T VISHAY/威世
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ERJ1TNF59R0U PANASONIC/松下
ERJ1TNF4532U PANASONIC/松下
ERJ1TNF2201U PANASONIC/松下
SUP28N15-52-E3 VISHAY/威世
ESD9R3.3ST5G ON/安森美
ATMXT1189T-ATR MICROCHIP/微芯
GSIB2580-E3/45 VISHAY/威世
ST3232CDR ST
ST3232CTR ST
ST3232BTR ST
ST3232ECDR ST
ST3232EBTR ST
GSIB2560-E3/45 VISHAY/威世
IPD60R180P7S INFINEON/英飞凌
LD39200DPUR ST
L7905CD2T-TR ST
ST3232BDR ST
RT9193-33GB RICHTEK/立锜
RT9193-18GB RICHTEK/立锜
RT9193-15GB RICHTEK/立锜
RT9193-28GB RICHTEK/立锜
RT9193-30GB RICHTEK/立锜
RT9193-25GB RICHTEK/立锜
IW636-21 DIALOG
DMC3016LSD-13 DIODES/美台
SI1016CX-T1-GE3 VISHAY/威世
MLG0603P3N6BT000 TDK/东电化
RF05VA1STR ROHM/罗姆
ZVP0545GTA DIODES/美台
L7905CV ST
SM4007PL-TP MCC/美微科
NPIM42P3R3MTRF NIC
MIC5365-3.0YD5-TR MICROCHIP/微芯
STM6824SWY6F ST
TLP183(BL-TPL,E(T TOSHIBA/东芝
ZXMS6004FFTA DIODES/美台
MCP6004T-I/ST MICROCHIP/微芯
4N35VM ON/安森美
