位置:51电子网 » 企业新闻

BSS123LT1G

发布时间:2022/4/7 16:21:00 访问次数:170



产品属性 属性值 搜索类似
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 170 mA
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 225 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 80 mS
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
系列: BSS123L
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg

我司拥有多年的厂家配套经验,承接各类客户生产需求的采购货单配套,诚实守信,欢迎来电咨询!我们都以100%的热情为您真诚服务。


GPR343KTR-G1 DIODES/美台
GPR34309MPTR-G1 DIODES/美台
GPR34309CMPTR-G1 DIODES/美台
AJS358P-E1 DIODES/美台
74LVT640D,118 NEXPERIA/安世
D3Z9V1BF-7 DIODES/美台
BZT52C6V8LP-7 DIODES/美台
ZDT694TA DIODES/美台
ZDT694QTA DIODES/美台
74LV17APWJ NEXPERIA/安世
AP1686K6TR-G1 DIODES/美台
B320AF-13 DIODES/美台
B320AQ-13-F DIODES/美台
SMAJ8.0CA-13-F DIODES/美台
SMAJ8.5A-13-F DIODES/美台
SMAJ8.5CA-13-F DIODES/美台
SMAJ8.5AQ-13-F DIODES/美台
SMAJ8.5CAQ-13-F DIODES/美台
BZT52C24T-7 DIODES/美台
DDZ3V3BSF-7 DIODES/美台
BZT52C2V7T-7 DIODES/美台
BZT52C5V6T-7 DIODES/美台
BZX84C18W-7-F DIODES/美台
BZT52C15TQ-7-F DIODES/美台
TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA/东芝
DMG4496SSSQ-13 DIODES/美台
CK45-B3AD472KYANA TDK/东电化
2SD2143TL ROHM/罗姆
KBP06G DIODES/美台
74VHC244D,118 NEXPERIA/安世
74VHC245D NEXPERIA/安世
74VHC245BQ NEXPERIA/安世
74VHC244PW NEXPERIA/安世
74VHC244BQ NEXPERIA/安世
S2K-13-F DIODES/美台
RS1MSWFQ-7 DIODES/美台
FZT696BTC DIODES/美台
RS1MSP1-7 DIODES/美台
AON6560 AOS/万代
NMB2227AH NEXPERIA/安世
DMB2227A-7 DIODES/美台
SMBJ20CA-13-F DIODES/美台
AUR9811DGD DIODES/美台
SMBJ20A-13-F DIODES/美台
AC857BQ-7 DIODES/美台
SDM03MT40A-7-F DIODES/美台
PDZ11BZ NEXPERIA/安世
BAS316Z NEXPERIA/安世
S1JB-13-F DIODES/美台
AP7365-33EG-13 DIODES/美台


上一篇:BQ25611DRTWR

下一篇:BQ25619RTWR

相关新闻

相关型号