PD70224ILQ-TR整流器

Microchip 的 PD70224 包含低 RDS 0.16 Ω N 沟道 MOSFET，可实现更高的整体效率和更高的输出功率

PD70224EVB.

Microchip Technology的 PD70224 是基于双组 MOSFET 的全桥整流器。它包含低 RDS 0.16 Ω N 沟道 MOSFET，可实现更高的整体效率和更高的输出功率，尤其是在用于以太网供电 (PoE) 应用中的受电设备 (PD) 时。用于驱动 MOSFET 的整个驱动电路都在芯片上，包括用于驱动高压侧 N 沟道 MOSFET 的充电泵。IdealBridge 整流器引入的总正向压降（桥式偏移）在 0.6 A 时仅为 192 mV，而标准桥式整流器通常呈现 2000 mV 的正向压降。PD70224 IdealBridge 可支持超过 1 A 的电流，因此是符合 IEEE 802.3af 和 IEEE 802.3at（1 类和 2 类）的现代节能 2 对应用的理想选择，也是 IEEE 802.3bt 等 4 对 PD 和 HDBase-T (PoH) 供电的理想选择。此外，PD70224 可以帮助在物理层本身识别是 2 对 PSE 还是 4 对 PSE 在通过电缆供电。它通过感测线路（未整流）侧的线对电压来实现这一功能。

特性 具有低正向压降的有源电路，可替代耗散无源二极管电桥 用于 MOSFET 的独立驱动电路 旨在支持 IEEE 802.3af/at/bt 和 PoH 集成 0.16 Ω N 沟道 MOSFET，总路径电阻为 0.3 Ω 用于识别 4 对桥接电源的电源存在指示灯信号 低泄漏，检测期间 <10 μA 宽工作电压范围，最高 57 V -40 °C 至 +85 °C 40 针，6 mm x 8 mm QFN 封装 MSL3，符合 RoHS 标准