产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 7.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
配置: Single
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.9 mm
零件号别名: IRF7495TRPBF SP001565412
单位重量: 540 mg
我司拥有多年的厂家配套经验,承接各类客户生产需求的采购货单配套,诚实守信,欢迎来电咨询!我们都以100%的热情为您真诚服务。
TPS43000PWR TI
TPS43000PWRG4 TI
TPS43060RTER TI
TPS43060RTET TI
TPS43061RTER TI
TPS43330A TI
TPS43330AQDAPRQ1 TI
TPS43330Q1 TI
TPS43330QDAPRQ1 TI
TPS43331QDAPRQ1 TI
TPS43333QDAPRQ1 TI
TPS43336QDAPRQ1 TI
TPS43340QPHPRQ1 TI
TPS43350QDAPRQ1 TI
TPS43351QDAPRQ1 TI
TPS4H160AQPWPRQ1 TI
TPS4H160BQPWPRQ1 TI
TPS51000DGQR TI
TPS5100IPWR TI
TPS5100IPWRG4 TI
TPS51020 TI
TPS51020DB TI
TPS51020DBT TI
TPS51020DBTR TI
TPS51020DBTRG4 TI
TPS51020PWP TI
TPS5102IDBT TI
TPS5102IDBTR TI
TPS5103IDB TI
TPS5103IDBR TI
TPS5103IDBRG4 TI
TPS51100DCQR TI
TPS51100DGQ TI
TPS51100DGQG4 TI
TPS51100DGQR TI
TPS51100DGQRG4 TI
TPS5110PW TI
TPS5110PWR TI
TPS511100DGQ TI
TPS51113DRCR TI
TPS51113DRCRG4 TI
TPS51113DRCT TI
TPS51116 TI
TPS51116PW TI
TPS51116PWP TI
TPS51116PWPG4 TI
TPS51116PWPR TI
TPS51116PWPRG4 TI
TPS51116PWR TI
TPS51116RGE TI