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STF13NM60N

发布时间:2021/11/17 15:10:00 访问次数:158

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
系列: STF13NM60N
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
单位重量: 2 g

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LM336Z25 TI
LM336Z25X TI
LM336Z5 TI
LM393DRG4 TI
LM393I TI
LM393M TI
LM393MX TI
LM393MX/NOPB TI
LM393MX/NPOB TI
LM393N TI
LM393N/NOPB TI
LM393P TI
LM393P-CN TI
LM393PS TI
LM393PSR TI
LM393PW TI
LM393PWR TI
LM393PWRG4 TI
LM393TL/LM393 TI
LM393TL/NOPB TI
LM393TLX TI
LM393TLX/NOPB TI
LP2986AIMMX-3.0 TI
LP2986AIMMX-5.0 TI
LP2986AIMX-3.3 TI
LP2986AIMX-3.3/NOPB TI
LP2986AIMX-5.0 TI
LP2986AIMX-5.0/NOPB TI
LP2986IM-3.0 TI
LP2986IM-3.3 TI
LP2986IM-3.3/NOPB TI
LP2986IM-5.0/NOPB TI
LP2986IMM-3.0 TI
LP2986IMM-5.0 TI
LP2986IMMX-5.0 TI
LP2986IMX-3.3/NOPB TI
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LP2987IM-3.0 TI
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