NVB072N65S3

NVB072N65S3

製造商: onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: D2PAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 44 A
Rds On - 漏-源電阻: 72 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 82 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 312 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
公司名稱: SuperFET III
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 32 ns
互導 - 最小值: 29.7 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
系列: SuperFET3
原廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 65.9 ns
標準開啟延遲時間: 26.3 ns
每件重量: 1.485 g