制造商： Diodes Incorporated
说明：
MOSFET P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOT-26-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 23.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 42 ns
正向跨导 - 最小值: 18 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
系列: DMP2035
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 94 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 8 mg
