制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.45 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
Pd-功率耗散: 208 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: HGTG30N60B3D
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 60 A
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
宽度: 4.82 mm
零件号别名: HGTG30N60B3D_NL
单位重量: 6.390 g
