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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 170 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.9 V
Qg-栅极电荷: 2.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 mW
通道模式: Depletion
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 27 ns
正向跨导 - 最小值: 0.2 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.7 ns
系列: BSS169
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SIPMOS Small Signal Transistor
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 2.9 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: SP000702572 BSS169H6327XT BSS169H6327XTSA1
单位重量: 34 mg
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