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IRLR120NTRPBF

发布时间:2021/10/13 14:56:00 访问次数:113发布企业:深圳市腾桩电子有限公司

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 22 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IRLR120NTRPBF SP001574026
单位重量: 330 mg

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ATIC64C1 TI
ATIC71B1 TI
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ATL431AIDBZR TI
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ATL431AQDBZR TI
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ATL431BQDBZR TI
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ATL432AIDBZR TI
ATL432AQDBZR TI
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AMBE-2000-10 TI
AMBE2000-10 TI
AMBE3000-10 TI
AMC1100 TI
AMC1100DUBR TI
AMC1100DWVR TI
AMC1200 TI
AMC1200B TI
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AMC1200BDWVR TI
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AMC1200SDUB TI
AMC1200SDUBR TI
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AMC1203BDUB TI
AMC1203BDUBR TI
AMC1203BPSA TI
AMC1203BPSAR TI
AMC1203DUB TI
AMC1203DUBR TI
AMC1203DWR TI
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AMC1204BDWVR TI
AMC1204DW TI
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