LT6428FJ N沟道增强模式功率MOSFET描述
特点：
VDS=30V,
ID=59A
RDS(ON)@VGS=10V,TYP4.5mΩ
RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP7.3mΩ
封装：DFN5*6-8L
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