BYM4612_SSD2021导读
除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，南山电子还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。
根据不通电情况下反型层是否存在，MOS管可分为增强型、耗尽型——。功率半导体的核心是PN结，从二极管、三极管到场效应管，都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。
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IRF7311TRPBF
MOS管的导电沟道，能够在制作过程中构成，也能够通过接通外部电源构成，当栅压等于零时就存在沟道（即在制作时构成的）称为耗尽型，在施加外部电压后才构成沟道的称为增强型。。
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。这样的器件被认为是对称的。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，较终使扩散运动达到平衡）；。
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
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AP9922GEO
NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。
。MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。
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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。
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