STM32F429BIT6

解决上述矛盾的方案是，将STM32F429BIT6改为脉冲变压器，开关管导通期间通过脉冲变压器初级贮存能量，开关管截止时，脉冲变压器通过次级向负载释放能量。如果此脉冲变压器初/次级圈数比增大，次级释放能量形成的感应电压必然较低。假设脉冲变压器能量存储与释放是相等的(事实上脉冲变压器的损耗较小，可以忽略)，其次级电路将感应出低脉冲幅度，大电流的感应电压向负载及滤波电容放电。除此之外，冲变压器代替储能电感后，电路的降压功能不只依靠压缩脉宽，还可以通过改变脉冲变压器初/次级变比的方式得到设定的降压输出。

基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

STM32F429BIT6由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

带DSP和FPU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

STM32F429BIT6具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

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STM32F429BIT6参数
料号 STM32F429BIT6
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC和TFT
状态 Active
封装 LQFP 208 28x28x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 2048
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 256
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 168
显示控制器 LCD TFT Controller
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 6
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 208
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85
STM32F429BIT6电路原理图" alt="STM32F429BIT6电路原理图" />
XC7K70T-2FBG484I
XC2VP40-5FGG676C
XC7S100-2FGGA484C
XC7S100-2FGGA484I
XC7S50-2CSGA324C
EP3SL110F780I4LN
EP4S40G2F40I1N
5CEBA4U15I7N
EPCQ16ASI8N
XC1736EPD8I
EPF10K10TI144-4N
EP1C12Q240C6N
EP1C12Q240I7N

EP1K50QI208-2

STM32F429BIT6

XC7K70T-1FBG484C
XCF32PFSG48C
EPM570T100C3N
EP1C12Q240I7
XC2S200-5FG456C
XCF08PFSG48C
XC7VX690T-L2FFG1926E
XC6VLX75T-1FFG484I
XC6VLX130T-2FF1156I
XC4VSX35-10FFG668I
IR3598MTRPBF
XC2V4000-4FF1152I
XCKU060-2FFVA1517E
XCKU035-1FFVA1156C
XCF16PVOG48C
XCF32PVOG48C