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IPP65R190CFD

发布时间:2021/9/22 14:53:00 访问次数:163 发布企业:深圳市晶美隆科技有限公司销售一部


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制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1Channel
Vds-漏源极击穿电压:650V
Id-连续漏极电流:17.5A
RdsOn-漏源导通电阻:190mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-30V,+30V
Vgsth-栅源极阈值电压:4V
Qg-栅极电荷:68nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
Pd-功率耗散:151W
通道模式:Enhancement
商标名:CoolMOS
封装:Tube
商标:InfineonTechnologies
配置:Single
下降时间:6.4ns
高度:15.65mm
长度:10mm
产品类型:MOSFET
上升时间:8.4ns
系列:CoolMOSCFD2
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
晶体管类型:1N-Channel
宽度:4.4mm
零件号别名:SP000881160IPP65R19CFDXKIPP65R190CFDXKSA1

单位重量:2g


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